덴소에서 전기차용 Si-IGBT 파워 반도체 소자를 개발할 인재를 모집합니다. 반도체 소자 설계 및 개발 경험이나 지식을 보유해야 하며, 파워 반도체 경험은 필수가 아닙니다. 시뮬레이션, 구조 설계, 평가 및 분석 업무를 수행합니다. 하이브리드 근무가 가능하며, 세계적인 탄소 중립 실현에 기여하는 핵심 기술을 다룹니다.
半導体
愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）
三重 ＞桑名事業所（三重県桑名市）
車載向けの高耐圧、大電流かつ高品質なSi-IGBT素子を一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。
正社員
パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。
その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務 具体的には、以下の業務に携わっていただきます。
◆車載用Si-IGBTの製品企画／仕様検討
・技術ニーズ調査
・技術動向調査
・目標仕様調整および設計
◆車載用Si-IGBT素子開発・設計
・プロセス/デバイスシミュレーション
・構造検討およびレイアウト設計
・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術
・素子試作評価、分析解析
・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック
Siパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。
素子開発にとどまらず、パワーモジュール開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。
魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。
①半導体事業特集記事：半導体｜特集記事
②半導体事業概要：次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を
③SiCパワー半導体チップ開発のプロジェクトストーリー：クルマの「電動化」を支える、次世代SiCパワー半導体チップの開発
④当部の組織風土や働き方紹介：パワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方
地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。
私たちは、電動車部品（モータ、インバータなど）の燃費性能を向上するためのキーデバイスである高耐圧/大電流パワー半導体素子の企画、設計開発から製品化まで行っています。
車載向けの高耐圧、大電流かつ高品質なSi-IGBTのデバイスを一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。
◎キャリア入社比率：約10％
民生半導体メーカーや産業機器メーカーからの入社者も多く在籍しています。
半導体技術との親和性が高いのはもちろんのこと、非自動車分野の考え方や業務プロセスを取り入れていく必要があるため、旧職の知見や経験を活用して活躍されています。
◎在宅勤務：可能
半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方
※パワー半導体の経験有無は問いません
以下いずれかのご経験をお持ちの方
パワー半導体に関する知識をお持ちの方
半導体素子の設計および開発経験（目安：3年以上）をお持ちの方
プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験
半導体
電動化
パワエレ
カーボンニュートラル
想定年収：550万円～1,430万円
※給与は経験・能力を考慮の上決定します。
その他については募集要項をご確認ください。
