【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開

職務内容

＜事業内容＞　住友電工から在籍出向となります。
住友電工デバイス・イノベーション株式会社は、ユーディナデバイス株式会社と住友電気工業株式会社との事業統合により2009年に設立され、最先端の化合物半導体技術を生かして、通信インフラ用デバイスで世界ナンバーワンとなることを目指し、挑戦を続けております。当社は、光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品の両方において世界トップレベルのシェアを持つ唯一のメーカーとして、グローバルな通信インフラ市場に次世代のソリューションを提供し続けております。次なる10年、30年と事業を繋いでいく為に、一緒に数々の大規模プロジェクトを支えていただけるメンバーを募集しております。

①職務内容
　高周波用途の化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術の開発及び量産展開

②具体的にお任せする業務
　〇高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
　〇高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
　〇生産技術開発及び生産への展開

応募資格

①応募資格（専門知識/能力）　※必須要件
　以下のいずれかの経験をお持ちの方 　
　・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験 　
　・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験
　・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有

②語学力（英語）
　・TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。

③以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します。
　〇高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識
　〇GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験
　〇エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験

④仕事の特徴・面白さ
化合物半導体技術を用いた通信インフラ用デバイスで世界ナンバーワンになることへの挑戦及び研究、技術、製品開発、製造、顧客サポートを通じ次世代ソリューションを提供し続けることを特徴とします。各々の持つ技術が持続発展的社会を実現することに、強いやりがいを感じることができます。 

待遇

■契約期間：期間の定めなし(正社員)

■試用期間：あり(3カ月)

■勤務時間：
　　8:30 ～ 17：15 （標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
　　※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)

■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
　　主席以上には深夜割り増しを除いて基準外賃金は支給しない。

■休日・休暇：
　　年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど）、
　　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）、
　　積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）、
　　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）、
　　計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）、
　　半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
　　※初年度は入社月により異なります。

■賃金：
　　経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。

　　初任給：大卒　　月給30万6,000円（2026年4月実績）
　　　　　　修士了　月給32万6,200円（2026年4月実績）
　　
　　昇給：年1回 （4月）
　　賞与：年2回 （6月・12月）

■諸手当：
　　通勤手当、残業手当、家族手当、
　　家賃補助手当（条件により家賃の最大50％を支給（上限額あり））

■加入保険：
　　健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

■福利厚生：
　　財形住宅貯蓄、退職年金、企業年金基金、共済会、持株会、
　　カフェテリアプラン制度（自主選択型福利厚生制度）、
　　育児休業（満3歳到達まで）、短時間勤務（小学6年生を終了するまで）、
　　介護休業（2年以内）など

勤務地

神奈川県横浜市

変更の範囲

当社国内外各事業所(関連会社及び関係する諸団体含む)