후지쯔그룹에서 화합물 반도체를 활용한 광·전자 디바이스 연구개발자를 모집합니다. 반도체 디바이스 개발, 결정 성장, 회로 설계 중 하나 이상의 경험이 필수입니다. 재료부터 디바이스까지 전 과정을 다루며, 고감도 적외선 센서나 고주파 파워앰프 연구를 수행합니다. 연구개발(R&D) 역량을 갖춘 분들의 많은 지원을 바랍니다.
富士通株式会社
富士通研究所
先端材料研究センター
世界有数のマテリアルサイエンスとデバイステクノロジーでイノベーションを創出し、強靭性と利便性を兼ね備えたレジリエントな社会の実現に貢献する
これまで行ってきた研究テーマの強化に加えて、新たな研究テーマも立ち上げるため、これらを担うメンバーを募集しています。いずれの研究テーマにおいても、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を行い、性能を飛躍的に向上させることがミッションとなります。材料/デバイスに対する深い洞察力と共に、新原理/新構造を創出する発想力を有する方の募集をお待ちしています。
メーカー(電気・電子・機械系)
残業時間 平均：15時間/月 繁忙期：40時間/月
フレックス勤務適用 有
重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサや、将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。
赤外線センサについては、入射する赤外線を高い効率で電気信号に変換する受光素子と、電気信号を増幅して画像として出力する読出回路と、その集積化技術を開発する。
高周波パワーアンプについては、電波送信の容量や到達距離を飛躍的に高めるための、高性能かつ省電力なトランジスタとその集積回路を開発する。
本ポジションは、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を行い、性能を飛躍的に向上させることがミッションとなります。キーとなる部分の研究を単独で行う側面と、複数名のチームでデバイス/回路の試作評価を行う側面があります。材料/デバイスに対する深い洞察力と共に、新原理/新構造を創出する発想力に期待します。
自らが研究開発で創り出した革新的なデバイスをチーム一丸となって作製し、社会実装に繋げることができ、モノづくりの醍醐味を味わうことができます。また、材料・デバイス・回路・実装と幅広いレイヤを扱っており、全体を俯瞰した研究開発ができます。なお、本人の意向次第ではごく一部にフォーカスする深堀型の研究も可能ですし、全てのレイヤを一人でこなすべく様々なスキルを習得することも可能です。
Research & Development R&D
Research リサーチ
Research リサーチ
R&D
1名
以下1項目以上の経験必須
・半導体デバイス開発
・結晶成長
・回路設計
以下の経験があること
・光学センサ開発
・高周波デバイス開発
・半導体プロセス開発
・CAD
・デバイスや電磁界のシミュレーション
・電気的・光学的な評価
・高周波回路評価
・国際会議での発表経験
日常会話レベル
ビジネス会話レベル以上を希望
担当クラス
月給 315,000～
年収 6,200,000～
※職責に応じさらに高い処遇を設定
厚木研究所
テレワークは可能ですが、基本的には厚木研究所に出社して業務を行います。
当社の定める業務の範囲内
期間の定めなし
当社の事業所の範囲内
