덴소에서 파워 반도체(SiC) 분야의 공정 기술 개발, 제품 및 설비 설계를 담당할 인재를 모집합니다. 무기 재료, 파워 일렉트로닉스, 반도체 중 하나 이상의 기초 지식과 관련 분야 3년 이상의 경력이 필수입니다. 단결정 성장 기술 및 웨이퍼 제조 공정 설계 경험자를 우대합니다. 글로벌 사업을 이끌며 기술 전문성을 높일 수 있는 기회입니다.
半導体
三重 ＞大安製作所（三重県いなべ市）
車の電動化を支える”パワー半導体”のプロセス技術開発、設計、生産技術を推進する仲間を募集しています。
正社員
SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発
具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
単結晶製造設備制御技術開発
ウェハ製造のための、生産技術開発
ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
開発技術の権利化
✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます
✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます ✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます ✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます
①半導体事業特集記事：半導体｜特集記事
②半導体事業概要：次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を
③関連部署の組織風土や働き方紹介：半導体の未来を拓く挑戦──技術者が語る8インチSiC量産化の舞台裏
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。
20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。
以下いずれかのご経験をお持ちの方
半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方
無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方
結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方
半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方
半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方
下記のいずれかの知識・経験を有している方
気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
パワー半導体材料、単結晶に関する知識
技術開発における推進リーダ経験
海外企業との折衝経験
語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）
Star-CCM(流体解析)
ANSYS(応力設計）
結晶成長
ウェハ製造
半導体設備
半導体製造
パワー半導体
SiC
CVD、気相成長
無機材料
単結晶
想定年収：650万円～1,430万円
※給与は経験・能力を考慮の上決定します。
その他については募集要項をご確認ください。
