덴소(미라이즈 테크놀로지스)에서 차세대 파워 반도체 연구개발을 담당할 인재를 모집합니다. 파워 반도체 또는 디바이스 관련 지식과 3년 이상의 관련 실무 경험이 필수입니다. GaN, 산화갈륨, 다이아몬드 반도체 등 최첨단 소재 연구를 수행하며, 대학 및 연구기관과 협력하여 기술을 선도합니다. 탄소 중립 사회 실현에 기여할 수 있는 도전적인 환경을 제공합니다.
愛知 ＞株式会社ミライズテクノロジーズ（愛知県日進市）
車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
正社員
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
ウェハガス成長法の研究開発
横型GaN-HEMTのデバイス開発
α酸化ガリウム半導体研究開発
β酸化ガリウム半導体研究開発
ダイヤモンド半導体研究開発
SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。
中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。
大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。
ミライズテクノロジーズでは、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できるやりがいの持てる職場で一緒に汗を流してみませんか？
パワエレ第2研究開発部は、xEV用インバータや電源関連製品に使われるパワー半導体の材料、デバイス、実装、回路、制御など幅広い技術を研究対象としています。この分野はワールドワイドで競争が激化していますが、ミライズの垂直統合型の研究を活かして他社と差別化した競争力のあるパワエレ技術の創出を目指しています。その中でパワー半導体材料、デバイス研究においては、SiCの結晶成長技術でミライズが唯一成功しているガス成長法の研究開発や、GaN、酸化ガリウム及びダイヤモンドなどの新規ワイドバンドギャップ半導体のR&Dを行っています。国内の大学や新材料のトップランナーと連携しながら、最先端の技術をいち早く社会実装することを目指します。部のスローガン「Humor Enhances Creativity」に従い、楽しんで研究開発を行っていくカルチャーがあります。
◎キャリア入社比率： 約40%
半導体材料メーカ、家電メーカ、メモリ半導体メーカ、半導体装置メーカ、大学・研究機関からの入社者が在籍しています。
◎在宅勤務： 週1回程度
★33歳（社会人経験10年目）中途入社（前職：半導体メーカー）
学会などを通じてデンソー・ミライズの先進的なパワー半導体技術に触れ、強く興味を持ちました。現在は、世界No.1の性能を目指せる開発環境のもとで、新しいアイデアや技術の開発に取り組むことができ、大きなやりがいを感じています。社内には専門性の高い技術者が多く、そうした方々と議論しながら開発を進められる点も非常に刺激的です。
★42歳（社会人経験17年目）中途入社（前職：大学研究員）
主に自動車部品にかかわる研究開発事業に積極的に取り組んでいる職場です。品質に対しての基準がしっかりしていてそれに伴う教育も充実しており、自分の成長をイメージすることができます。新材料の研究開発業務を任されているのですが、意見や提案を発言したり相談しやすく、業務の進め方や、課題解決へむけてやりがいを感じて仕事ができています。
★45歳（社会人経験18年目）中途入社（前職：半導体装置メーカー）
入社1年目から重要な課題解決を任せていただき、やりがいを持って業務を行っています。先行調査から実験、評価、試作、製造といったモノづくりに必要な幅広い業務を社内で行っており、広範な技術的知見を得るにはとても良い環境だと思います。
①半導体事業特集記事：半導体｜特集記事
②半導体事業概要：次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を
③当部の組織風土や働き方紹介：答えは、まだ誰も知らない。次世代半導体「GaN」研究者が挑戦するモビリティの未来
パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
想定年収：550万円～1,500万円
※給与は経験・能力を考慮の上決定します。
その他については募集要項をご確認ください。
※当ポジションでは、株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズテクノロジーズに出向いただきます。
応募者個人情報の第三者提供⇒有
提供目的⇒当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、
採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。
